Новый FeRAM читает и пишет на 1,6 Гб/сек

Компания Toshiba анонсировала свою последнюю разработку – новый прототип FeRAM (ферроэлектронное ОЗУ) модуля, который, с её слов, открывает новую точку отсчета в индустрии для скорости передачи данных и их плотности.

Вообще, FeRAM расшифровывается как Ferroelectronic RAM – сегнетоэлектрическая энергонезависимая память. А именно, новый чип имеет емкость 128 Мбит и способен достичь скоростей чтения/записи данных в 1,6 Гб/сек, что на сегодняшний день является рекордным показателем по плотности и скорости.

Полная информация о новом FeRAM-модуле будет предоставлена на этой неделе на Международной конференции ISSCC2009 (International Solid-State Circuits Conference 2009) в Сан-Франциско (США).

Новинка является модификацией собственной оригинальной архитектуры chainFeRAMTM, которая внесла существенный вклад в уплотнение чипа. Кроме того, новая микросхема, прогнозирует и контролирует отклонения в электропитании, поддерживая высокоскоростную передачу данных. Это позволило интегрировать интерфейс DDR2 с максимальной передачей данных и высокой пропускной способностью, при низком энергопотреблении, осуществляя чтение и запись данных на скорости 1,6 Гб/сек.

При разработке новой FeRAM, компания Toshiba побила свой собственный рекорд чипа с 32 Мб плотностью и скоростью передачи данных в 200 Мбит/сек, прибавив в производительности восемь крат по скорости передачи данных и плотности, в сравнении с предыдущим рекордом и став быстрее по скорости любого другого NVRAM модуля.