SSD накопители Samsung
Меньше тегов
Больше тегов
Фильтр
Фильтр
Показать товары
Сбросить фильтры
Сортировать по:
Показано
18 товаров из 18
18 товаров
SSD накопитель Samsung 870 EVO 500Gb (MZ-77E500BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb (MZ-V9P4T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 1Tb (MZ-V9P1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 EVO 250Gb (MZ-77E250B/EU)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
250 ГБ
Объем буфера обмена:
512 МБ
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Samsung 9100 Pro with Heatsink 2Tb (MZ-VAP2T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x4
Скорость чтения:
1850 МБ/с
Скорость записи:
2600 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 970 PRO 1Tb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
2700 МБ/с
Тип ячеек памяти:
MLC
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2Tb (MZ-V9S2T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x2
Скорость чтения:
7250 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 QVO 2Tb (MZ-77Q2T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 1Tb with Heatsink (MZ-V9P1T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb with Heatsink (MZ-V9P4T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Объем буфера обмена:
4096 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung PM1735 1.6Tb
Форм-фактор:
HHHL
Объем:
1600 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x8
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
2400 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Samsung 980 500Gb (MZ-V8V500BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
500 ГБ
Объем буфера обмена:
512 МБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3100 МБ/с
Скорость записи:
2600 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D MLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 QVO 4Tb (MZ-77Q4T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb (MZ-V9P2T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 EVO 250Gb (MZ-77E250BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
250 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung PM1735 3.2Tb
Форм-фактор:
HHHL
Объем:
3200 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x8
Скорость чтения:
8000 МБ/с
Скорость записи:
3800 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Объем буфера обмена:
1024 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7150 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 4Tb (MZ-V9S4T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x2
Скорость чтения:
7250 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND