SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW)
Код: 00883931
Кредит 0% на 6 мес
В 3 платежа без переплат
6 249
лей
Кэшбэк:
249
лей
На ваш счет будет начислено XXX лей, которыми вы сможете оплатить до 30% стоимости следующей покупки.
Подробнее...
Подробнее...
Нашли дешевле?
Сравнить
В сравнении
В избранном
В избранное
Доставка в
мун. Кишинэу
бесплатно
бесплатно
60 лей
Отделение Nova Post
60 лей
Почтомат Nova Post
50 лей
Основные характеристики
| Форм-фактор | M.2 |
| Объем | 1000 ГБ |
| Объем буфера обмена | 1024 МБ |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
| Скорость чтения | 7150 МБ/с |
| Скорость записи | 6300 МБ/с |
| Время наработки на отказ | 1.5e+006 ч |
| IOPS записи | 1350 тыс |
| IOPS считывания | 850 тыс |
| Тип ячеек памяти | 3D TLC NAND |
| Размеры | 22x80 мм |
| Вес | 10 г |
Служебная информация
| Производитель | Samsung |
| Модель | 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW) |
| Штрих-код (EAN) | 8806095575674, 887276843704 |
| Вес брутто | 0.07 кг |
| Гарантия | 24 мес. |
Характеристики и изображения товара SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW) приведены в ознакомительных целях и могут отличаться от реальных. Рекомендуем при покупке уточнять наличие желаемых функций и характеристик.
У этого товара еще нет отзывов. Будьте первым кто его оставит
Написать отзыв
Меньше тегов
Больше тегов
Похожие товары
SSD накопитель Kingston KC3000 512Gb (SKC3000S/512G)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
3900 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Apacer AS2280Q4U 512Gb (AP512GAS2280Q4U-1)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
3000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1600000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Goodram PX600 Gen2 1Tb (SSDPR-PX600-1K0-80)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
3200 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Adata XPG Gammix S70 4Tb (AGAMMIXS70B-4T-CS)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Объем буфера обмена:
4096 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
6600 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Patriot P400 V4 1Tb (P400VP1TBM28H)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
6000 МБ/с
Скорость записи:
5000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Transcend 220S 1Tb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
2800 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель KingSpec 1Tb (XG7000-1TB)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
6600 МБ/с
Время наработки на отказ:
1000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Kingston Fury Renegade 2Tb (SFYRDK/2000G)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7300 МБ/с
Скорость записи:
7000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC
SSD накопитель Kingston Fury Renegade 1Tb (SFYRSK/1000G)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7300 МБ/с
Скорость записи:
6000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC
SSD накопитель Kingston Fury Renegade 4Tb (SFYRDK/4000G)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7300 МБ/с
Скорость записи:
7000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC
Мой отзыв о
Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW)