мун. Кишинэу
022 815-819
079 815-819 060 815-819

Пн - Пт: 8:00 - 19:00

Сб - Вс: 9:00 - 18:00

Каталог

SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW)

Код: 00883931
Оставить отзыв
Кредит 0% на 6 мес В 3 платежа без переплат
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW)
-1% 6 249 лей
6 199 лей
Кэшбэк: 185 лей
Нашли дешевле?
0% в кредит с MaibLiber 2, 4, 6 мес.
В кредит от 275 лей/мес оплачивай кредит легко
Купить Товар в корзине
Сравнить В сравнении
В избранном В избранное
Доставка в
мун. Кишинэу
бесплатно
Отделение Nova Post
60 лей
Почтомат Nova Post
50 лей
Основные характеристики
Форм-факторM.2 
Объем1000 ГБ
Объем буфера обмена1024 МБ
ИнтерфейсPCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения7150 МБ/с
Скорость записи6300 МБ/с
Время наработки на отказ1.5e+006 ч
IOPS записи1350 тыс
IOPS считывания850 тыс
Тип ячеек памяти3D TLC NAND 
Размеры22x80 мм
Вес10 г
Служебная информация
Гарантия24 мес.
Вес брутто0.07 кг
Модель990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW) 
ПроизводительSamsung 
Штрих-код (EAN)8806095575674, 887276843704 
Характеристики и изображения товара SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW) приведены в ознакомительных целях и могут отличаться от реальных. Рекомендуем при покупке уточнять наличие желаемых функций и характеристик.
Скрыть Показать все
У этого товара еще нет отзывов. Будьте первым кто его оставит
Написать отзыв
Похожие товары
SSD накопитель Patriot P400 V4 1Tb (P400VP1TBM28H)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
6000 МБ/с
Скорость записи:
5000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Apacer AS2280F4L 1Tb (AP1TBAS2280F4L-1)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x4 
Скорость чтения:
10400 МБ/с
Скорость записи:
8600 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb with Heatsink (MZ-V9P2T0CW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Transcend 220S 1Tb
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4 
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
2800 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Kingston NV3 1Tb (SNV3S/1000G)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
6000 МБ/с
Скорость записи:
4000 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Kingston Fury Renegade G5 1Tb (SFYR2S/1T0)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1024 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x4 
Скорость чтения:
14200 МБ/с
Скорость записи:
11000 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Goodram PX600 Lite 1Tb (SSDPR-PX600L-01T-80)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
3600 МБ/с
Скорость записи:
2700 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND 
SSD накопитель Kingston Fury Renegade 1Tb (SFYRSK/1000G)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7300 МБ/с
Скорость записи:
6000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC 
SSD накопитель Goodram Core 500Gb (SSDR-GRC01-500-80)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
500 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x4 
Скорость чтения:
9300 МБ/с
Скорость записи:
6000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Goodram PX700 2Tb (SSDPR-PX700-02T-80)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2048 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
6500 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
Просмотренные товары