SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb (MZ-V9P4T0BW)
Код: 00732218
В 3 платежа без переплат
17 680 лей
Выгода
51 лей
17 629
лей
Кэшбэк:
528
лей
На ваш счет будет начислено XXX лей, которыми вы сможете оплатить до 30% стоимости следующей покупки.
Подробнее...
Подробнее...
Нашли дешевле?
Сравнить
В сравнении
В избранном
В избранное
Доставка в
мун. Кишинэу
бесплатно
бесплатно
60 лей
Отделение Nova Post
60 лей
Почтомат Nova Post
50 лей
Основные характеристики
| Форм-фактор | M.2 |
| Объем | 4000 ГБ |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
| Скорость чтения | 7450 МБ/с |
| Скорость записи | 6900 МБ/с |
| Время наработки на отказ | 1.5e+006 ч |
| IOPS записи | 1550 тыс |
| IOPS считывания | 1600 тыс |
| Тип ячеек памяти | 3D TLC NAND |
| Размеры | 80x22x2.3 мм |
| Вес | 9 г |
Служебная информация
| Производитель | Samsung |
| Модель | 990 PRO 4Tb (MZ-V9P4T0BW) |
| Штрих-код (EAN) | 8806094947205 |
| Гарантия | 24 мес. |
Характеристики и изображения товара SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb (MZ-V9P4T0BW) приведены в ознакомительных целях и могут отличаться от реальных. Рекомендуем при покупке уточнять наличие желаемых функций и характеристик.
У этого товара еще нет отзывов. Будьте первым кто его оставит
Написать отзыв
Меньше тегов
Больше тегов
Похожие товары
SSD накопитель Goodram IRDM 512Gb (IR-SSDPR-P34B-512-80)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3200 МБ/с
Скорость записи:
2000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Verbatim Vi5000 512Gb (VI5000-512-31825)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
2500 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Apacer AS2280Q4U 1Tb (AP1TBAS2280Q4U-1)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7300 МБ/с
Скорость записи:
6000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1600000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Apacer AS2280Q4U 2Tb (AP2TBAS2280Q4U-1)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2048 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
7000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1600000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель KingSpec 512Gb (XG7000-512GB)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7200 МБ/с
Скорость записи:
4400 МБ/с
Время наработки на отказ:
1000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC
SSD накопитель Kingston NV3 1Tb (SNV3S/1000G)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
6000 МБ/с
Скорость записи:
4000 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Goodram PX600 Gen2 1Tb (SSDPR-PX600-1K0-80)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
3200 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Patriot P400 Lite 500Gb (P400LP500GM28H)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
500 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
2700 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb with Heatsink (MZ-V9P4T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Объем буфера обмена:
4096 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Verbatim Vi7000G 1Tb (VI7000G-1TB-49367)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
5500 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
Мой отзыв о
Samsung 990 PRO 4Tb (MZ-V9P4T0BW)