мун. Кишинэу
022 815-819
079 815-819 060 815-819

Пн - Пт: 8:00 - 19:00

Сб - Вс: 9:00 - 18:00

Каталог

SSD накопитель Goodram PX700 1Tb (SSDPR-PX700-01T-80)

Код: 00750660
Оставить отзыв
В 3 платежа без переплат
SSD накопитель Goodram PX700 1Tb (SSDPR-PX700-01T-80)
SSD накопитель Goodram PX700 1Tb (SSDPR-PX700-01T-80)
-2% 4 999 лей
4 899 лей
Кэшбэк: 146 лей
Нашли дешевле?
0% в кредит с MaibLiber 2, 4, 6 мес.
В кредит от 217 лей/мес оплачивай кредит легко
Сравнить В сравнении
В избранном В избранное
Доставка в
мун. Кишинэу
бесплатно
Отделение Nova Post
60 лей
Почтомат Nova Post
50 лей
Основные характеристики
Форм-факторM.2 
Объем1024 ГБ
ИнтерфейсPCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения7400 МБ/с
Скорость записи6500 МБ/с
Время наработки на отказ1.5e+006 ч
IOPS записи820 тыс
IOPS считывания1000 тыс
Тип ячеек памяти3D NAND 
Размеры80x22x2.65 мм
Служебная информация
Гарантия24 мес.
ПроизводительGoodRam 
Штрих-код (EAN)5908267965047 
Характеристики и изображения товара SSD накопитель Goodram PX700 1Tb (SSDPR-PX700-01T-80) приведены в ознакомительных целях и могут отличаться от реальных. Рекомендуем при покупке уточнять наличие желаемых функций и характеристик.
Скрыть Показать все
У этого товара еще нет отзывов. Будьте первым кто его оставит
Написать отзыв
Похожие товары
SSD накопитель Transcend MTE410S 1Tb (TS1TMTE410S)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
3500 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Patriot P400 V4 1Tb (P400VP1TBM28H)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
6000 МБ/с
Скорость записи:
5000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2Tb (MZ-V9S2T0BW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x2 
Скорость чтения:
7250 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Samsung 990 PRO 1Tb with Heatsink (MZ-V9P1T0CW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC 
SSD накопитель Kingston NV3 500Gb (SNV3S/500G)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
500 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
3000 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb (MZ-V9P2T0BW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 4Tb (MZ-V9S4T0BW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x2 
Скорость чтения:
7250 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Patriot P400 V4 2Tb (P400VP2TBM28H)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
6200 МБ/с
Скорость записи:
5200 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Patriot P410 2Tb (P410P2TBM28H)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
4500 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Kingston NV3 4Tb (SNV3S/4000G)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
4000 ГБ
Объем буфера обмена:
4096 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
6000 МБ/с
Скорость записи:
5000 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND 
Просмотренные товары