мун. Кишинэу
022 815-819
079 815-819 060 815-819

Пн - Пт: 8:00 - 19:00

Сб - Вс: 9:00 - 18:00

Каталог

SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb (MZ-V9P2T0BW)

Код: 00604641
Оставить отзыв
SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb (MZ-V9P2T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb (MZ-V9P2T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb (MZ-V9P2T0BW)
8 904 лей
Кэшбэк: 178 лей
Нашли дешевле?
В кредит от 395 лей/мес оплачивай кредит легко
Сравнить В сравнении
В избранном В избранное
Доставка в
мун. Кишинэу
бесплатно
Отделение Nova Post
60 лей
Почтомат Nova Post
50 лей
Основные характеристики
Форм-факторM.2 
Объем2000 ГБ
Объем буфера обмена1000 МБ
ИнтерфейсPCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения7450 МБ/с
Скорость записи6900 МБ/с
Тип ячеек памяти3D TLC NAND 
Размеры22x80 мм
Служебная информация
Гарантия24 мес.
Вес брутто0.07 кг
ПроизводительSamsung 
Штрих-код (EAN)8806094215038 
Характеристики и изображения товара SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb (MZ-V9P2T0BW) приведены в ознакомительных целях и могут отличаться от реальных. Рекомендуем при покупке уточнять наличие желаемых функций и характеристик.
Скрыть Показать все
У этого товара еще нет отзывов. Будьте первым кто его оставит
Написать отзыв
Похожие товары
SSD накопитель Samsung 990 PRO 1Tb (MZ-V9P1T0BW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Goodram PX700 1Tb (SSDPR-PX700-01T-80)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
6500 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Объем буфера обмена:
1024 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7150 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Samsung 9100 Pro with Heatsink 2Tb (MZ-VAP2T0CW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x4 
Скорость чтения:
1850 МБ/с
Скорость записи:
2600 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 4Tb (MZ-V9S4T0BW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x2 
Скорость чтения:
7250 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Kingston KC3000 4Tb (SKC3000D/4096G)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
7000 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Kingston Fury Renegade 1Tb (SFYRSK/1000G)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7300 МБ/с
Скорость записи:
6000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC 
SSD накопитель Verbatim Vi7000G 1Tb (VI7000G-1TB-49367)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
5500 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Transcend 255S 2Tb (TS2TMTE255S)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
6500 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Goodram PX700 2Tb (SSDPR-PX700-02T-80)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2048 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
6500 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
Просмотренные товары