мун. Кишинэу
022 815-819
079 815-819 060 815-819

Пн - Пт: 8:00 - 19:00

Сб - Вс: 9:00 - 18:00

Каталог

SSD накопитель Samsung 990 EVO 1Tb (MZ-V9E1T0BW)

Код: 00767902
Оставить отзыв
SSD накопитель Samsung 990 EVO 1Tb (MZ-V9E1T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 EVO 1Tb (MZ-V9E1T0BW)
1 977 лей
Нашли дешевле?
Этот товар недоступен для заказа
Сравнить В сравнении
В избранном В избранное
Основные характеристики
Форм-факторM.2 
Объем1024 ГБ
ИнтерфейсPCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения5000 МБ/с
Скорость записи4200 МБ/с
Время наработки на отказ1.5e+006 ч
IOPS записи800 тыс
IOPS считывания620 тыс
Тип ячеек памяти3D TLC NAND 
Размеры80x22x2.38 мм
Вес9 г
Служебная информация
ПроизводительSamsung 
Модель990 EVO 1Tb (MZ-V9E1T0BW) 
Штрих-код (EAN)8806095300276 
Гарантия24 мес.
Характеристики и изображения товара SSD накопитель Samsung 990 EVO 1Tb (MZ-V9E1T0BW) приведены в ознакомительных целях и могут отличаться от реальных. Рекомендуем при покупке уточнять наличие желаемых функций и характеристик.
Скрыть Показать все
У этого товара еще нет отзывов. Будьте первым кто его оставит
Написать отзыв
Похожие товары
SSD накопитель Samsung 9100 Pro with Heatsink 1Tb (MZ-VAP1T0CW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x4 
Скорость чтения:
14700 МБ/с
Скорость записи:
13300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Goodram PX600 Gen2 2Tb (SSDPR-PX600-2K0-80)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2048 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
4200 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Goodram PX600 Gen2 1Tb (SSDPR-PX600-1K0-80)
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
3200 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Goodram PX700 1Tb (SSDPR-PX700-01T-80)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
6500 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 4Tb (MZ-V9S4T0BW)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x2 
Скорость чтения:
7250 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Patriot P320 1Tb (P320P1TBM28)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4 
Скорость чтения:
3000 МБ/с
Скорость записи:
2200 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Goodram PX600 Lite 1Tb (SSDPR-PX600L-01T-80)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
3600 МБ/с
Скорость записи:
2700 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND 
SSD накопитель Apacer AS2280Q4U 2Tb (AP2TBAS2280Q4U-1)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
2048 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
7400 МБ/с
Скорость записи:
7000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1600000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND 
SSD накопитель Patriot P410 1Tb (P410P1TBM28H)
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
4500 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D NAND 
SSD накопитель Crucial E100 1Tb
0
Форм-фактор:
M.2 
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
4500 МБ/с
Время наработки на отказ:
1000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC 
Просмотренные товары